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电子元器件详细资料 » IC[30351] » US6M11TR
型号:US6M11TR类别:FET - 阵列制造商:Rohm Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
系列-
制造商Rohm Semiconductor
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V,12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C1.5A,1.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C180 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs1.8nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds110pF @ 10V
功率_最大700mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装UMT6
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳伟诚铭科技有限公司陈086-0755-66887761
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