型号:US6M11TR | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Rohm Semiconductor |
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 |
系列 | - |
制造商 | Rohm Semiconductor |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V,12V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.5A,1.3A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 180 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 110pF @ 10V |
功率_最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装 | UMT6 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
深圳市立锜源电子有限公司 | 李13717008271 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市力拓辉电子有限公司 | 李进0755-82568894 |
深圳伟诚铭科技有限公司 | 陈086-0755-66887761 |
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